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id: news-20260825-79ffd7
title: 1ラック1MW時代が迫るAIデータセンター：800V給電、Si/SiC/GaNパワー半導体の三位一体共存、そして液冷への物理限界突破
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category: news/tech
category_raw: AI・テクノロジー
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- AI・テクノロジー
- AIデータセンター
- パワー半導体
- SiC
- GaN
- 液体冷却
- HVDC
- ハードウェア
- AIサーバー
- サーバー
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fetched_at: '2026-08-25T00:38:15.217707Z'
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summary: AIの計算スピードの向上に伴い、データセンターは1ラック当たり1MW（メガワット）の電力密度という物理限界に直面している。従来の48V給電では20,833アンペアという極大電流が流れるため、配線のジュール熱損失やコストが物理的に実装不可能になる。解決策として、給電を800V高電圧直流（HVDC）に移行し、パワー半導体ではSi・SiC・GaNを適材適所で組み合わせ、空冷から直接液体冷却（DLC）に完全転換する。これらの技術革新により、PUE（電力使用効率）を1.05以下に改善し、AIインフラの物理的・経済的実現性を確保している。
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summary_en: With the improvement of AI calculation speed, the data center faces the
  physical limit of power density of 1MW per rack. In the conventional 48V power supply,
  the ultra-high current of 20,833 amperes flows, so the thermal loss and cost of
  the wiring can not be physically implemented. As a solution, the power supply is
  transferred to 800V high voltage DC (HVDC), and the power semiconductor combines
  Si, SiC, and GaN in the right place, and completely switched to air-cooled liquid
  cooling (DLC). These innovations improve PUE (power efficiency) below 1.05 to ensure
  physical and economic feasibility of AI infrastructure。
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- 800V DC(HVDC
- AIサーバー
- AIデータセンター
- AIデータセンター「1ラック1MW時代」
- AI・テクノロジー
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# 1ラック1MW時代が迫るAIデータセンター：800V給電、Si/SiC/GaNパワー半導体の三位一体共存、そして液冷への物理限界突破

## TL;DR
AIの計算スピードの向上に伴い、データセンターは1ラック当たり1MW（メガワット）の電力密度という物理限界に直面している。従来の48V給電では20,833アンペアという極大電流が流れるため、配線のジュール熱損失やコストが物理的に実装不可能になる。解決策として、給電を800V高電圧直流（HVDC）に移行し、パワー半導体ではSi・SiC・GaNを適材適所で組み合わせ、空冷から直接液体冷却（DLC）に完全転換する。これらの技術革新により、PUE（電力使用効率）を1.05以下に改善し、AIインフラの物理的・経済的実現性を確保している。

## Key Points
- AI・テクノロジー / AIデータセンター / パワー半導体 / SiC / GaN / 液体冷却 / HVDC / ハードウェア / AIサーバー / サーバー

## Details
(本文なし。リンク先参照)

## Source
元記事: [1ラック1MW時代が迫るAIデータセンター：800V給電、Si/SiC/GaNパワー半導体の三位一体共存、そして液冷への物理限界突破](https://gotosocial.chinng-lab-srv.dev/ai-datacenter-1mw-rack-power-cooling-revolution/) — published 2026-08-24T12:39:46Z